SI7615ADN-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
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Electro-Films (EFI) / Vishay SI7615ADN-T1-GE3
| Artikelnummer: | SI7615ADN-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8S |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 3000+ | $0.3168 |
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- Einkaufshandbuch
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-
Electro-Films (EFI) / Vishay SI7615ADN-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI7615ADN-T1-GE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Vgs (Max) ±12V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4 mOhm @ 20A, 10V Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Andere Namen SI7615ADN-T1-GE3TR
SI7615ADNT1GE3Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Produkteigenschaften Eigenschaften Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 32 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5590pF @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 183nC @ 10V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V detaillierte Beschreibung P-Channel 20V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc) SI7615ADN-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] SI7615ADN-T1-GE3 PDF - EN.pdf -
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